經(jīng)過優(yōu)化的 EDA 和 IP 全面解決方案為臺積公司 N2 和 A16 工藝帶來強化的計算性能、功耗和工程生產(chǎn)力
摘要:
由Synopsys.ai賦能、可投入生產(chǎn)的人工智能驅(qū)動EDA流程面向N2工藝可實現(xiàn)全球領先的結(jié)果質(zhì)量,并加速科技行業(yè)領導者的設計節(jié)點遷移
在臺積公司的A16工藝上開發(fā)全新背側(cè)電源交付功能,以實現(xiàn)高效的電源分配和系統(tǒng)性能
新思科技攜手臺積公司和Ansys聯(lián)合開發(fā)支持CoWoS互聯(lián)封裝的多物理場流程,以應對熱和電源完整性挑戰(zhàn)
新思科技 3DSO.ai可提供人工智能驅(qū)動的系統(tǒng)設計分析,支持臺積公司3DFabric技術并實現(xiàn)行業(yè)領先的結(jié)果質(zhì)量
面向臺積公司先進節(jié)點上開發(fā)的全新40G UCIe、HBM4和3DIO IP優(yōu)化了延遲、功耗、性能和面積
加州桑尼維爾2024年10月8日 /美通社/ -- 新思科技(納斯達克股票代碼:SNPS)近日宣布,與臺積公司深化合作,面向臺積公司的先進工藝和3DFabric技術提供全球領先的 EDA和IP解決方案,持續(xù)加速人工智能和多芯片系統(tǒng)設計的創(chuàng)新。人工智能應用對計算能力的迫切需求要求半導體技術加速創(chuàng)新。新思科技和臺積公司已經(jīng)緊密合作數(shù)十年,推動業(yè)界領先的Synopsys.ai?賦能、人工智能驅(qū)動EDA全面解決方案和2.5/3D多芯片架構(gòu)遷移完整解決方案的發(fā)展,為未來十億至萬億晶體管的人工智能芯片設計鋪平了道路。
臺積公司生態(tài)系統(tǒng)與聯(lián)盟管理部門負責人Dan Kochpatcharin表示:“臺積公司很高興能與新思科技合作,針對基于臺積公司先進工藝和3DFabric技術的人工智能設計的嚴苛計算需求,開發(fā)領先的EDA和IP解決方案。近期,我們和新思科技在人工智能驅(qū)動的EDA套件和經(jīng)過硅驗證的IP方面的合作成果,幫助我們的共同客戶顯著提高了生產(chǎn)力,并為先進的人工智能芯片設計提供了出色的性能、功耗和面積。”
新思科技EDA產(chǎn)品管理高級副總裁Sanjay Bali表示:“幾十年來,新思科技一直與臺積公司緊密合作,面向臺積公司各代先進節(jié)點提供任務關鍵型EDA和IP解決方案。這種合作關系有助于幫助我們的共同客戶在萬物智能時代加速創(chuàng)新,推動半導體設計的未來發(fā)展。我們正在共同突破技術的界限,不斷實現(xiàn)性能、能效和工程生產(chǎn)力方面的突破性進展?!?/p>
新思科技人工智能驅(qū)動的EDA設計流程提高PPA和工程生產(chǎn)力
諸多全球領先科技企業(yè)已采用Synopsys.ai賦能、人工智能驅(qū)動的EDA流程,在N2工藝上進行先進的芯片設計。
聯(lián)發(fā)科公司副總裁吳慶杉表示:“新思科技經(jīng)過認證的Custom Compiler和PrimeSim解決方案提高了性能和生產(chǎn)率,讓我們的開發(fā)者能夠滿足在臺積公司N2工藝上進行高性能模擬設計的芯片需求。擴大與新思科技的合作,使我們能夠充分利用其人工智能驅(qū)動流程的全部潛力,加快我們的設計遷移和優(yōu)化工作,改善向多個垂直領域交付業(yè)界領先SoC所需的流程?!?/p>
此外,新思科技正在與臺積公司合作,在新思科技數(shù)字設計流程中開發(fā)針對臺積公司A16 工藝的全新背側(cè)布線功能,以解決電源分配和信號布線問題,從而實現(xiàn)設計性能效率和密度優(yōu)化??苫ゲ僮鞯墓に囋O計工具包(iPDK)和新思科技IC Validator? 物理驗證運行集可供開發(fā)團隊處理日益復雜的物理驗證規(guī)則,并高效地將設計過渡到臺積公司N2技術。
為了進一步加速芯片設計,新思科技和臺積公司通過臺積公司的云認證,在云上啟用新思科技的EDA工具,為雙方客戶提供云就緒的EDA工具,這些工具可提供精確的結(jié)果質(zhì)量,并與臺積公司先進的工藝技術無縫集成。新思科技的云認證工具包括綜合、布局布線、靜態(tài)時序和功率分析、晶體管級靜態(tài)時序分析、定制實現(xiàn)、電路仿真、EMIR分析和設計規(guī)則檢查。
EDA全面解決方案推動多芯片創(chuàng)新
新思科技、Ansys和臺積公司持續(xù)深化合作,基于自身的全球領先解決方案,通過全面的系統(tǒng)分析流程應對多芯片設計所面臨的復雜的多物理挑戰(zhàn)。這一全新流程是基于新思科技 3DIC Compiler統(tǒng)一的架構(gòu)探索到簽核平臺,集成了3DSO.ai和針對數(shù)字和3D集成電路的Ansys RedHawk-SC?電源完整性簽核平臺,增強了熱分析和電壓降感知時序分析。新思科技3DIC Compiler是經(jīng)臺積公司認證的平臺,可支持3Dblox以及臺積公司的3DFabric,其中包括TSMC-SoIC®(系統(tǒng)集成芯片)和CoWoS封裝技術。
Ansys半導體、電子和光學業(yè)務副總裁兼總經(jīng)理John Lee表示: “我們與新思科技、臺積公司的合作體現(xiàn)了我們共同致力于推動創(chuàng)新和實現(xiàn)人工智能和多芯片設計的未來。我們正在共同應對多芯片架構(gòu)中固有的多物理挑戰(zhàn),幫助我們的共同客戶在新思科技全新的設計環(huán)境中實現(xiàn)芯片、封裝和系統(tǒng)級效應的黃金簽核精度。
利用經(jīng)硅片驗證的IP降低風險
新思科技全面的多芯片測試解決方案,可與新思科技UCIe和HBM3 IP一同使用,確保多芯片封裝在制造測試和現(xiàn)場過程中的健康狀況。通過與臺積公司合作,新思科技利用臺積公司的CoWoS內(nèi)插技術,開發(fā)了一款測試芯片,全面支持測試、監(jiān)控、調(diào)試和修復功能。診斷、可追溯性和任務模式信號完整性監(jiān)控可實現(xiàn)設計中、試運行中、生產(chǎn)中和現(xiàn)場優(yōu)化,以達到預測性維護等目的。用于UCIe PHY的監(jiān)控、測試和修復(MTR) IP可在芯粒、芯粒到芯粒接口和多芯粒封裝層面提供可測試性。
新思科技UCIe和HBM3 IP解決方案在N3E和N5工藝技術上取得了多項硅成功,加速了IP集成并最大限度地降低了風險。新思科技全新開發(fā)的UCIe IP工作速率高達40G,無需增加面積即可實現(xiàn)最大帶寬和能效,而HBM4和3DIO IP解決方案則加速了臺積公司先進工藝上3D堆疊芯片的異構(gòu)集成。
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