新能源汽車、能源轉(zhuǎn)型、人工智能等領(lǐng)域的快速發(fā)展,顯著推動了碳化硅(SiC)需求的增長,終端對于SiC降本的訴求也在不斷增強(qiáng)。而在SiC產(chǎn)業(yè)鏈中,SiC襯底成本在整個成本結(jié)構(gòu)中占比最高,因此具有成本優(yōu)勢的大尺寸襯底逐漸受到業(yè)界的高度期待。
目前,6英寸SiC襯底仍占據(jù)主流市場,但8英寸襯底正在逐步滲透。與6英寸襯底相比,8英寸SiC襯底的成本可降低約35%,且能夠切割出更多晶片,邊緣浪費(fèi)更少,使得材料的有效利用率大幅提升。因此國內(nèi)外廠商均在加速研發(fā)、擴(kuò)產(chǎn),進(jìn)軍8英寸碳化硅。
據(jù)相關(guān)新聞報道,近年來,國際功率半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)頻頻聯(lián)手國產(chǎn)碳化硅襯底、材料等環(huán)節(jié)企業(yè),加速發(fā)展8英寸碳化硅。這一趨勢背后既反映了國際龍頭對中國碳化硅襯底廠商技術(shù)進(jìn)步的認(rèn)可,另一方面也是看中中國新能源市場機(jī)遇,尋求本地化供應(yīng)。
下面為大家介紹一下全球碳化硅8寸晶圓廠建設(shè)進(jìn)度。
Infineon英飛凌
英飛凌在2024年8月8日宣布,其位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項目正式啟動運(yùn)營。項目投資額20億歐元,重點(diǎn)生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體,同時也涵蓋部分氮化鎵外延生產(chǎn)。
英飛凌在社交平臺上官宣,該廠將于今年底開始生產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品,預(yù)計2025年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。英飛凌于2022年2月宣布斥資20億歐元,在馬來西亞居林工廠建設(shè)第三廠區(qū),后又于2023年8月宣布再投入50億歐元進(jìn)行擴(kuò)建,總投資額上升到70億歐元。一期項目以碳化硅為主力,還將包括氮化鎵外延;二期投資額將打造全球最大、最高效的8英寸碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠。
Silan士蘭微
2024年6月18日,士蘭微電子在廈門市海滄區(qū)正式啟動了國內(nèi)首條8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目,項目名稱為:“士蘭集宏”,總投資高達(dá)120億人民幣。
該項目將分兩期建設(shè),旨在形成年產(chǎn)72萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。第一期項目投資70億元,預(yù)計在2025年第三季度末完成初步通線,并在第四季度實(shí)現(xiàn)試生產(chǎn),目標(biāo)年產(chǎn)2萬片。2026年至2028年間,士蘭微計劃持續(xù)提升產(chǎn)能,最終實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)42萬片的目標(biāo)。
Onsemi安森美
在2024年8月6日,安森美宣布將于今年晚些時候?qū)?00毫米(8英寸)碳化硅晶圓進(jìn)行認(rèn)證,并于2025年投產(chǎn)。
安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示:“我們?nèi)匀辉诔覀兯f的今年將獲得 8 英寸資格的軌道上,這就是我談?wù)撡Y格的時候,它是一直通過晶圓廠的基板。因此,這將在今年獲得資格,明年開始營收符合我們的預(yù)期。正如我們最近與大眾汽車集團(tuán)的供應(yīng)協(xié)議所反映的那樣,隨著我們與歐洲、北美和中國的全球領(lǐng)先原始設(shè)備制造商一起提高產(chǎn)量,我們還繼續(xù)加強(qiáng)我們在汽車領(lǐng)域的碳化硅地位?!?/p>
Wolfspeed
在2024年3月26日,Wolfspeed旗下耗資50億美元(折合人民幣約361億元)的8英寸碳化硅(SiC)制造中心宣告封頂。這座工廠位于美國北卡羅來納州的查塔姆縣,是Wolfspeed全球產(chǎn)能擴(kuò)張計劃的一部分,預(yù)計將在2025年上半年開始生產(chǎn)。一旦全面運(yùn)營,這座工廠將顯著提升Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量,預(yù)計將使SiC襯底產(chǎn)量擴(kuò)大10倍,滿足電動汽車、電信設(shè)備、能源轉(zhuǎn)型、人工智能等領(lǐng)域?qū)iC的需求。此外,該工廠的建設(shè)和運(yùn)營也將為當(dāng)?shù)貛斫?jīng)濟(jì)利益和就業(yè)機(jī)會。
同時Wolfspeed已在美國紐約的莫霍克谷中擁有全球首家且最大的8英寸SiC 工廠,這家工廠于2022年4月正式開業(yè),總投資為10億美元(約合人民幣71.2億),占地面積為55英畝,主要生產(chǎn)8英寸SiC晶圓。
ST意法半導(dǎo)體|三安光電
2023年6月7日,意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國重慶合作建設(shè)一座新的8英寸碳化硅器件合資制造廠,預(yù)計2025年第四季度開始投產(chǎn),并將在2028年全面建成。該工廠將采用意法半導(dǎo)體的SiC專利制造工藝,專注于為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)碳化硅器件,旨在支持中國汽車電氣化、工業(yè)電力和能源領(lǐng)域的快速增長需求。項目總投資約32億美元,其中未來五年的資本支出預(yù)計為24億美元,資金來源包括公司自有資金、重慶政府支持以及外部貸款。
此外,三安光電計劃獨(dú)資在重慶設(shè)立一座8英寸碳化硅襯底工廠,投資約70億元,以配套支持合資工廠的生產(chǎn)需求。該工廠將專注于碳化硅襯底的制造,雙方將簽訂長期供應(yīng)協(xié)議。合資項目公司暫定名為“三安意法半導(dǎo)體(重慶)有限公司”,三安光電全資子公司湖南三安持股51%,意法半導(dǎo)體(中國)投資有限公司持股49%。達(dá)產(chǎn)后,合資工廠每周將具備生產(chǎn)10000片8吋碳化硅晶圓的能力,預(yù)計年營收可達(dá)170億元人民幣。
Rohm羅姆
根據(jù)2023年7月13日的消息,羅姆宣布計劃在2024年末開始在其位于日本宮崎縣的工廠生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底,該工廠原為出光興產(chǎn)旗下,后被羅姆收購并改造成碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。羅姆的目標(biāo)是到2030財年將其碳化硅產(chǎn)能提升至2021財年的35倍,并且計劃在2027年度結(jié)束前累計對SiC功率半導(dǎo)體事業(yè)投資5,100億日元。
三菱電機(jī)
三菱電機(jī)的8英寸SiC晶圓廠建設(shè)進(jìn)度正在按計劃推進(jìn)。根據(jù)2024年6月4日的消息,三菱電機(jī)在業(yè)績說明會上宣布,為響應(yīng)市場需求,位于熊本縣的SiC晶圓廠將提前開始運(yùn)營。原計劃于2026年4月開始運(yùn)營的工廠,現(xiàn)在預(yù)計將在2025年11月開始運(yùn)營,提前了大約5個月。
三菱電機(jī)在2023年3月宣布了約1000億日元(約合46億人民幣)的投資計劃,主要用于建設(shè)新的8英寸SiC晶圓廠,并加強(qiáng)相關(guān)生產(chǎn)設(shè)施。新工廠將位于熊本縣石井地區(qū),并計劃引入具有先進(jìn)能源效率和高自動化生產(chǎn)效率的潔凈室。此外,三菱電機(jī)還計劃加強(qiáng)其6英寸SiC晶圓的生產(chǎn)設(shè)施,以滿足當(dāng)前市場需求。
三菱電機(jī)的目標(biāo)是到2030財年將功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中SiC的銷售額比例提高到30%以上,并且與2022年相比,公司2026年的晶圓產(chǎn)能將擴(kuò)大約5倍。
充電頭網(wǎng)總結(jié)
全球8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)進(jìn)程正在穩(wěn)步推進(jìn),各大廠商的戰(zhàn)略布局將為未來的市場競爭奠定堅實(shí)的基礎(chǔ),碳化硅市場正在迎來一個新的發(fā)展高峰。這些新建與擴(kuò)建項目不僅將在未來幾年內(nèi)逐步釋放8英寸產(chǎn)品的產(chǎn)能,也將為整個行業(yè)帶來技術(shù)和工藝的持續(xù)進(jìn)步。從長遠(yuǎn)來看,碳化硅技術(shù)的成熟與普及也將進(jìn)一步推動新能源汽車、工業(yè)電力以及人工智能等領(lǐng)域的發(fā)展。
國內(nèi)外企業(yè)的積極投入表明,碳化硅作為下一代功率半導(dǎo)體材料,其重要性已經(jīng)得到了廣泛的認(rèn)可。隨著2025年后各大工廠的陸續(xù)投產(chǎn),市場對高效能、高可靠性的8英寸碳化硅器件需求將會顯著提升,進(jìn)一步加速行業(yè)的升級換代。